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제목 [3/14] [colloquium] 기본적인 물리 개념의 응용을 통한 궁극의 저항스위칭소자 구현
작성자 물리학과홈피 등록일 2017-03-07 오후 8:10:22 조회수 71
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날짜 : 3월 14일
 
시간 : 오후 4시 30분
 
장소 : R404
 
연사 : 정창욱 교수님(한국외국어대 전자물리학과)
 
제목 : 기본적인 물리 개념의 응용을 통한 궁극의 저항스위칭소자 구현
 
내용: 
이제까지 기존 연구자들이 집중적으로 연구해온 저항 스위칭 소자는 다결정 산화물을 기반으로 주로 연구되었다. 저항 스위칭은 도체/절연체/도체의 3층구조인데 상부도체와 하부도체의 사이의 절연체층의 내부에서 conducting filament가 외부전압에 따라서 연결되어서 끊어졌다 하는 두 가지 상태가 메모리의 기본 구조이다. 도전성 filamanet는 구름과 지표면 사이에 벼락이 치는 것처럼 random한 성질을 가졌다. 따라서 신뢰성 있는 메모리로 쓰기에는 근본적인 문제점이 존재해 왔다. 이러한 문제를 하기 위해서 기존에 시도된 해결책은 unfirmity를 증진시키기 위해서 non homogenity를 더 추가하는 방식이었고 이는 명백한 한계를 가지는 방법이다. 이와는 완전히 반대로 우리는 단결정 품질을 가지는 에피박막 기반의 소자를 만들고 homogenity를 극대로 추구하는 전략을 통해서 기존 문제점을 극복할 수 있음을 세계 최초로 확인하였다. Quantum confinement, Least Action principle, Dimensionality Control등의 기본적인 물리 개념들이 사용되었다.
 
[1] Octolia T. Tambunan, ..., Appl. Phys. Lett. 105, 063507 (2014). 
[2] Susant K. Acharya, ..., ACS Appl. Mater. Interfaces 8, 7902 (2016). 
[3] Memory Device for Resistance Switching using Material having a Brownmilletire Structure PCT/KR2015/008537 Filed at 2015 0814 
[4] Susant K. Acharya, ..., submitted to Adv. Func. Mat Feb (2017).


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